图形化直写系统，应用空间光调制（SLM）技术和位相调制（PL M）技术，实现亚微米直写光刻，可达0.5um解析度和100nm套刻。 在应用中省去了繁琐的掩膜加工步骤，相比单束直写具有效率高、技术先进、应用灵活等特点。 100nm-100um精度的直写取代了部分电子束光刻和传统紫外光刻， 支持2-98英寸的写入面积，为专用集成电路、平板显示、微机电系统、微光学、微流体、传感器、计算机产生全息图以及所有其他应用需要进行掩膜和微结构图形的快速制造的场所，提供了完美解决方案。 在多年的高端微纳制造装备的研发中积累许多核心技术，这些核心技术有力保障了在高端微纳制造装备领域让我们走在世界的前列。

纳米压印领域进行了长达10余年的研究与开发，从最初的平压平纳米压印拼板设备、卷对卷热压设备、到目前UV 卷对卷纳米压印设备。 UV R2R纳米压印有两种模式：第一、卷对卷UV纳米压印模式，主要用于微纳光学薄膜、柔性微纳米衬底的批量复制制造。 第二，滚压平纳米压印模式，在平面上步进滚压，实现纳米结构在平面基材上的重复性复制，主要用于大幅面模具制备。 UV纳米压印设备配有精密涂布上胶、精密压力传感和温度传感控制、UV光强调节系统，可精密控制压印速度、张力和成型品质，具有很好的基材适应性，适合在塑性基材上直接纳米压印，效率高、成本低、变形量小，同时，建有PET材料表面处理制程。